Tarih: 26.08.2024 09:59

Bu proje ile geleceğin elektronik dünyasına daha temiz ve verimli katkı sağlanacak

Facebook Twitter Linked-in

Ege Üniversitesi Güneş Enerjisi Enstitüsü Enerji Teknolojisi Anabilim Dalı Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu’nun yürütücülüğünü yaptığı “ Yeni Nesil, Kurşunsuz Yüksek Performanslı FET’ler İçin Bizmut Tabanlı Yarı İletkenler” başlıklı proje TÜBİTAK-ARDEB “1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı” kapsamında destek almaya hak kazandı.
Ege Üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Necdet Budak, Proje Yürütücüsü Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu’yu makamında ağırlayarak tebrik etti. Rektör Prof. Dr. Necdet Budak, “Tam kurumsal akreditasyona sahip, öğrenci odaklılıkta ödüllü, öncü araştırma üniversitemizde oluşturduğumuz örnek bilim üretme ekosistemimiz bünyesinde görev yapan araştırmacılarımızın yürütücülüğünü yaptığı nitelikli projeler ulusal ve uluslararası kurum ve kuruluşlardan destek görmeye devam ediyor. Küresel standartlarda araştırma geliştirme ve inovasyon faaliyetlerine ev sahipliği yapan üniversitemiz çatısı altında, proje hazırlama, başvuru yapma, patent ve ticarileşme konularının sürdürülebilir hale geldiğini ve bir kültüre dönüştüğünü müşahede ediyoruz. Mensuplarımızla birlikte üniversitemizi daha iyiye taşımak, sadece ülkemizde değil tüm dünyada tercih edilen, örnek gösterilen bir üniversite olmak için var gücümüzle çalışmayı sürdüreceğiz. TÜBİTAK-ARDEB programı kapsamında projesi desteklenen öğretim üyemizi kutluyor, başarılarının devamını diliyorum” dedi.

“Yenilikçi elektronik cihazlar geliştirilecek”
Araştırmanın içeriği ile ilgili bilgi veren Proje Yürütücüsü Ege Üniversitesi Güneş Enerjisi Enstitüsü Enerji Teknolojisi Anabilim Dalı Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu ise “Yenilikçi elektronik cihazlar geliştirme yolunda önemli bir adım atıyoruz. Projemiz, çevre dostu ve yüksek performanslı alan etkili transistörler (FET) üretmeyi amaçlayan, metil amonyum bizmut iyodür (MBI) ve gümüş bizmut iyodür (ABI), yarıiletkenleri üzerine odaklanmaktadır. Bizmut tabanlı bu yeni nesil yarıiletkenler, daha stabil ve toksik olmayan yapılarıyla kurşun bazlı malzemelere güçlü bir alternatif sunmaktadır” diye konuştu.

“Çevre dostu ve yenilikçi bir proje”
Projenin amacı ve hedeflerini sıralayan Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu, “MBI ve ABI ince filmleri kullanarak, çevre dostu çözücülerle üretilen yüksek performanslı transistörler geliştirmeyi hedefliyoruz. Bizmut tabanlı malzemelerin, yüksek performanslı transistörler için güçlü bir aday olduğunu göstererek çevre dostu yeni malzeme uygulamalarının önünü açmayı hedefliyoruz. Üreteceğimiz FET’lerin yüksek mobilite ve düşük histeresis özellikleri ile öne çıkmasını planlıyoruz” dedi.
Araştırmanın yönteminden bahseden Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu, “Proje kapsamında, transistör uygulamaları için yeni nesil yarıiletken yapıların geliştirilmesine odaklanmaktadır. Metilamin (MA) gazı kullanılarak MBI yapısını oluşturacak ve farklı Ag/Bi molar oranlarıyla ABI rudorffite yapılarını oldukça kolay yöntemlerle elde ettikten sonra altlıklar üzerine kaplayarak FET üretiminde aktif yarıiletkenler olarak kullanılacaktır. Çalışmada, çözelti hazırlama, ince film kaplama, termal işlem ve elektriksel karakterizasyon yöntemleri detaylı olarak incelenecektir. Elde edilen sonuçlar, ileri elektronik cihazlar için bizmut tabanlı toksik olmayan malzemelerin potansiyelini açığa çıkaracaktır” diye konuştu.

“Elektronik dünyasında yeni bir alan açılacak”
Proje kapsamında pek çok yeniliği literatüre ve bilim dünyasına sunacaklarına ifade eden Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu, “Çevre dostu çözücülerle üretilen MBI ve ABI yapıları, yeşil elektronik alanında önemli bir adım atmamızı sağlayacaktır. Transistörlerin, yüksek yük taşıyıcı mobilite ve Ion/Ioff akım oranı ile yüksek performans sergilemesi beklenmektedir. Projemiz ile bizmut tabanlı malzemelerin transistör uygulamalarındaki potansiyelini ortaya koyarak, yeni nesil elektronik cihazların geliştirilmesine öncülük edilecektir. Bu proje, sadece bilimsel anlamda değil, aynı zamanda çevre dostu teknolojilerin geliştirilmesine de katkı sağlayacak. Kurşunsuz ve toksik olmayan MBI ve ABI yarıiletkenlerinin kullanımı, elektronik dünyasında yeni bir alan açacak. Projemizle birlikte, geleceğin daha temiz ve verimli elektronik dünyasına katkı sağlamayı hedefliyoruz” dedi.



Orjinal Habere Git
— HABER SONU —
G-F0G61HQYBB